Four de dépôt LPCVD de nitrure de silicium stoechiométrique (Si3N4) ou non stoechiométrique (SiNx) 4 et 6".
4 and 6 inches Si3N4 (stochometric) and SiNx (non-stoechiometric) LPCVD deposition furnace.
Dépôt de Si3N4 à partir de NH3 et SiH2Cl2 à 770°C. Epaisseur de 10 nm à 120 nm.
Dépôt de SiNx à partir de NH3 et SiH2Cl2 à 770°C. Epaisseur de 15 nm à 1 µm.
Si3N4 deposition from NH3 and SiH2Cl2 at 770°C. Thickness between 10 nm and 120 nm.
SiNx deposition from NH3 and SiH2Cl2 at 770°C. Thickness betwenn 15 nm et 1 µm.