Picture of ALCATEL P1 MOS (G-DRIE)
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Aurélie LECESTRE
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Mathieu ARRIBAT
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Description

L'Alcatel AMS4200 est un réacteur de gravure par plasmas de haute densité de type ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) pour le traitement de plaquettes 4 pouces.

Le réacteur P1 est dédié à la gravure du silicium profond par procédé Bosch ou tri-pulsé.

english version (2018)
The Alcatel AMS4200 is an ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) high density plasma etching
reactor for the treatment of 4 inch wafers.
The reactor P1 is dedicated to the etching of deep silicon by Bosch or tri-pulsed process.

 

Informations techniques :                                                                       Technical information :

Matériaux : Silicium uniquement                                                                Materials: Silicon only

Masques : Résine uniquement                                                                   Masks: Resist only

Dimensions échantillons: wafer 4" + echantillon plus petits                       wafer dimension: 4 "wafer, smaller sample

Gaz : SF6, C4F8, O2,  Ar, N2                                                                      Gas: SF6, C4F8, O2, Ar, N2

Puissances : Picp < 5000W ; Pbias < 500W                                             Powers: Picp <5000W; Pbias <500W

 

Pronfondeur gravée : 100nm à 650µm                                               Depth to be etched : 100nm to 650μm
Details
Tool name:
ALCATEL P1 MOS (G-DRIE)
Area/room:
Gravure plasma/plasma etching (Bât F)
Category:
Gravure plasma / Plasma etching
Manufacturer:
ALCATEL-ADIXEN
Model:
AMS4200-P1
Validated processes informations

3 types de procédés sont utilisés:                                        3 types of processes are used:

- Continu                                      - Continued

- Bosch                                        - Bosch

- Tri-Pulse                                    - Tri-Pulsed

 

 

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