La machine ICP3 est un réacteur de gravure par plasma de type ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) pour le traitement de plaquettes 4 pouces, 6 pouces et échantillons.
matériaux : Si, SiO2, Si3N4, Sipoly, métaux, parylène, graphène, polymères organiques, diamant, barc, polyimide, pdms, pvdf, Su8, BCB...
masques : résines UV, ebeam, métaux, kapton.
gaz : CF4, SF6, CHF3, C4F8, Cl2, O2, N2, Ar.
puissances : PICP (PRF2) <500W, Pbias (PRF1) <100W
2 modes : ICP et CCP (RIE)
Elle est équipée d'une détection de fin de gravure par réflectométrie laser (670nm). Le chiller peut chauffer le porte substrat jusqu'à 45°C max. Les échantillons sont collés ou non sur un support Si 6".
English version (2018) :
The ICP3 machine is an ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) type plasma etching reactor for the treatment of 4 inch, 6 inch and sample wafers.
Materials: Si, SiO2, Si3N4, Sipoly, Metals, Parylene, Graphene, Organic Polymers, Diamond, Barc, Polyimide, Pdms, Pvdf, Su8, BCB ...
masks: UV resists, ebeam, metals, kapton.
gas: CF4, SF6, CHF3, C4F8, Cl2, O2, N2, Ar.
powers: PICP (PRF2) <500W, Pbias (PRF1) <100W
2 modes: ICP and CCP (RIE) plasma etching
It is equipped with a end point detection of etching by laser reflectometry (670nm).
The chiller can heat the substrate holder up to 45 ° C max. The samples are glued or not on a support Si 6 ".
Pronfondeur gravée : 20nm à 15µm (ex : diamant) Depth to be etched: 20nm to 15μm (ex : diamond)