La machine ICP2 est utilisée pour la gravure des III-V. C'est un réacteur de gravure par plasma de type ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) pour le traitement de plaquettes 4 pouces, 6 pouces et échantillons.
matériaux : Ga(Al)As, Ga(Al)AsSb, Ga(Al)N...
masques : résines UV, ebeam, métaux, kapton.
gaz : Cl2, O2, N2, Ar, SF6.
puissances : PICP (PRF2) <500W, Pbias (PRF1) <100W
2 modes : ICP et CCP (RIE)
Elle est équipée d'une détection de fin de gravure par réflectométrie laser (670nm). Le chiller peut chauffer le porte substrat jusqu'à 45°C max. Les échantillons sont collés ou non sur un support Si 6". L'intérieur de la chambre de gravure est équipé d'un chemisage en aluminium.
English version (2018) :
The ICP2 machine is used for the etching of III-V. It is an ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) type plasma etching reactor for the treatment of 4 inch, 6 inch and sample wafers.
Materials: Ga (Al) As, Ga (Al) AsSb, Ga (Al) N ...
masks: UV resists, ebeam, metals, kapton.
gas: Cl2, O2, N2, Ar, SF6.
powers: PICP (PRF2) <500W, Pbias (PRF1) <100W
2 modes: ICP and CCP (RIE) plasma etching
It is equipped with a detection end point of etching by laser reflectometry (670nm).
The chiller can heat the substrate holder up to 45 ° C max. The samples are glued or not
on a support Si 6 " . The inside of the etching chamber is equipped with an aluminum liner.
Pronfondeur gravée : 100nm à 4µm (ex:VCSEL) Depth to be etched: 100nm to 4μm (ex VCSEL)