Picture of Rena Cuivre 4 pouces (E-AUTO)
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Equipement de dépôt industriel de la marque Rena

https://www.rena.com/en/products/semiconductor/electroplating/epm/

Cet équipement permet le dépôt de cuivre sur des wafers 4 et 6 pouces aussi bien en pleine plaque que dans des moules de résine.

Spécifications : 

  • Bain de 25 L
  • Chuck tournant
  • Contact électrique annulaire
  • Flux d’électrolyte perpendiculaire au chuck
  • Epaisseur de dépôt de 0.2 µm à 100 µm
  • Inhomogénéité 5 %
  • Vitesse de dépôt de 0.27 à 0.54  µm/min

La composition du bain est analysée une fois par mois afin de garantir la qualité du matériau déposé


Rena equipment for industrial electroplating.

https://www.rena.com/en/products/semiconductor/electroplating/epm/

This equipment allow copper electroplating on 4" and 6" wafers with local plating mode or full surface mode.

Specifications:

  • 25 liters bath
  • Rotating chuck
  • Electrical ring contact
  • Flow perpendicular to the chuck
  • Deposition thickness: from 0.2um to 100 um
  • Plating inhomogeneity 5%
  • Plating speed: from 0.27 to 0.54 um/min

The bath composition is analyzed one time per month by electroplating staff to ensure the best quality of deposition.


 

Tool name:
Rena Cuivre 4 pouces (E-AUTO)
Area/room:
Electrochimie / electroplating (Bât F)
Category:
Electrochimie/electroplating
Manufacturer:
RENA
Model:
EPM 100 F

Spécifications :

  • Vitesse de dépôt : Deposition rate                          0,27 à 0.54 µm/min
  • Epaisseur / Thickness                                             0,2 à 100 µm
  • Rugosité / Rugosity                                                 50 Å
  • Contrainte / Stress                                                  50 MPa
  • Résistivité / Resistivity                                            1,65 µohm/cm² après recuit 200°C@ 1h (after                                                                                              200°C@1h annealing)
  • Inhomogénéité  / Non homogeneity                        5 %

 

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