The MBE412 is a 12 ports MBE chamber.
The 12 sources actualy used are : 2xGa, 2xAl, In, 2xAs, Sb, N and H plasma source, Bi, Si, C.
Growths can be done on 2", 3" 4" et specifics wafer.
This chamber can process epitaxies such as VCELs, Fabry-Perot lasers, solar cells, or III-V and V-V structures.
Software : CRYSTALE XE
Le MBE412 est un bâtis MBE à 12 ports. Les 12 sources actuellements utilisées sont : 2xGa, 2xAl, In, 2xAs, Sb, une source plasma N et H, Bi, Si, C.
Les épitaxies peuvent être réalisées sur subtrats 2 ", 3" 4 " ou sur des découpes spécifiques.
Ces chambres peuvent réaliser des épitaxies telles que des structures VCELs, des lasers Fabry-Perot, des cellules solaires ou des structures III - V et V - V.