ALD deposition equipment on all materials.
Deposit of Al2O3 up to 300°C
At longer : (TiO2, TiN) up to 300°C.
Le dépôt Al2O3 de 25nm par ALD thermique est réalisable sur du Si, FS.
Un procédé de 227 cycles à 90°C, à 100°C à partir du précurseur TMA et de l'oxydant H2O donne entre 24nm et 25nm d'épaisseur Al2O3, n=1.66
The Al2O3 deposition of 25nm by thermal ALD is feasible on Si, FS. A process of 227 cycles at 90°C and at 100°C using the precursor TMA and the oxidant H2O. thickness is between 24nm to 25nm.