Cette machine à source plasma inductive planaire qui a un sas de chargement pour 1 wafer, est équipée de lignes de gaz florés pour graver des profondeurs inférieures à 1µm dans: Si, SiOx, SiNx, polymères...
Cette machine a l'option "DRIE" afin d'effectuer des gravures profondes de silicium.
Pour contrôler la gravure en temps réel, la machine dispose d'un interféromètre laser.
english version (2018) :
This planary inductive plasma machine, which has a wafer loading chamber, is equipped with florine gases lines for etching depths less than 1 μm : Si, SiOx, SiNx, polymers ...
To control the etching in real time, the machine has a laser reflectometry detector (670nm).
This machine has the DRIE option for Si deep etching.
informations techniques : technical information
GAZ : SF6, C4F8, CHF3, CF4, Ar, O2, N2 GAS: SF6, C4F8, CHF3, CF4, Ar, O2, N2
Générateurs RF : 13,56MHz : 1200W / 600W RF Generators: 13.56MHz: 1200W / 600W
Interféromètre laser : 670nm Laser interferometer: 670nm
Matériaux : Si, SiOx, SiNx ... Materials: Si, SiOx, SiNx ...
Masques: résines UV, électroniques Masks: UV resists, electronics resist