Four d'oxydation et redistribution 4 et 6 pouces pour plaquettes dopées P
Oxidation and redistribution furnace for P-doped 4 and 6 inches wafers
Oxydation thermique sèche (O2) du silicium de 5nm à 200nm.
Oxydation thermique humide (H2O) du silicium de 30 nm à 2,4 µm.
Température d'oxydation de 725°C à 1150°C.
Redistribution de dopants sous N2 de 700°C à 1150°C.
Silicon Dry oxidation (O2) between 5 nm and 200 nm
Silicon wet oxidation (H2O) between 30 nm and 2,4 µm.
Oxidation temperature from 725°C up to 1150°C.
Doping distribution temperature from 700°C up to 1150°C.