Picture of ALD-LL NoMOS (T- CVD)
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Pascal Dubreuil
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Description

Bati de dépôt ALD sur Si ou autre matériau NOMOS compatible. Dépôt de Al2O3, Ru, RuOx en mode CVD par cycles (ALD thermique) ou en mode PECVD par cycles (PEALD)

ALD deposition equipment on silicon or others material in NOMOS compatible mode. Deposit of Al2O3, Ru, RuOx in like CVD cycle (thermal ALD) or in like PECVD cycle (PEALD).

Details
Tool name:
ALD-LL NoMOS (T- CVD)
Area/room:
Traitements thermiques/thermal treament (Bâts F et
Category:
ALD
Manufacturer:
Sentech
Model:
Si-ALD-LL ALD024
Validated processes informations

Dépôt 20nm Al2O3 à partir du précurseur TMA et de l'oxydant H2O par vapeur à T° ambiante, en 190 cycles, avec suivi en temps réel in-situ par ellipsométrie @633nm.

Dépôt de 5nm Al2O3 à partir du précurseur TMA et de l'oxydant O2 par plasma  à T° ambiante, en 45 cycles, avec suivi en temps réel in-situ par ellipsométrie @633nm.

Deposition of 20nm Al2O3 from the TMA precursor and vapor H2O oxydant at 200°C, in 190 cycles with real time monitoring by ellipsometry @633nm.

Deposition of 5nm Al2O3 from the TMA precursor and plasma O2 oxydant at 200°C, in 45 cycles with real time monitoring by ellipsometry @633nm.

 

Deposition of 5nm Al2O3 from the TMA precursor and the oxidant O2 by plasma at room temperature, in 45 cycles, with real-time monitoring in situ by ellipsometry @ 633nm

 

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