Picture of Mask Aligner Suss MA6 Gen4 MOS and NoMOS (P-PHOT)
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1st Responsible:
Laurent Mazenq
2nd Responsible:
Adrian Laborde
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Description

SUSS MICROTEC manual Mask Aligner used at LAAS-CNRS since 2018.

This machine allow photoresist exposure on samples, 4" and 6'' wafers at 365nm, 405nm  wavelengh in contact mode (vacuum,hard,soft) or proximity mode.

This aligner use LED exposure system.

Specifications:

-TSA alignement, automatic alignment

-Alignement focusing:+/-2um            

-Critical dimension: until 1um using vacuum contact with 1,2um thickness photoresist.

Tools available :

- maskholders: mask 2.5'', 4'', 5'' and 7''

- chucks : 3mm, 10mm (for soft contact and hard contact), 2'', 4'' and 6'' wafers.

 

Aligneur de masques par contact et proximité SUSS MICROTEC en fonctionnement au LAASCNRS depuis 2018.

L'équipement permet de travailler sur substrats de 3mm, 4'' et 6'' à 365nm et 405nm en mode contact (doux, dur, chambre à vide) et proximité.

Le système d'exposition UV est un système LED Ushio.

 

Details
Tool name:
Mask Aligner Suss MA6 Gen4 MOS and NoMOS (P-PHOT)
Area/room:
Photolithographies (Bât F)
Category:
Photolithographie / Photolithography
Manufacturer:
Suss Microtec
Model:
MABA6Gen4
Validated processes informations

Specifications:

-TSA alignement, automatic alignment

-Alignement focusing:+/-2um            

-Critical dimension: until 1um using vacuum contact with 1,2um thickness photoresist.

Tools available :

- maskholders: mask 2.5'', 4'', 5'' and 7''

- chucks : 3mm, 10mm (for soft contact and hard contact), 2'', 4'' and 6'' wafers.

 

Spécifications:

- alignement face avant (TSA) manuel et alignement automatique

- Alignement focus :+/-2um            

-résolution jusqu'à 1µm en chambre à vide avec une résine d'1µm d'épaisseur.

Outils disponibles :

- support masque: 2.5'', 4'', 5'' and 7''

- chucks : 3mm, 10mm (for soft contact and hard contact), 2'', 4'' and 6'' wafers.

Instructors & Licensed Users

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