Picture of Yamamoto Cuivre 4/6" (E-MANU)
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Equipement de dépôt de laboratoire de la marque Yamamoto

http://www.yamamoto-ms.co.jp/en/index.html

Cet équipement permet le dépôt de cuivre sur des wafers 4 et 6 pouces aussi bien en pleine plaque que dans des moules de résine.

Spécifications : 

  • Bain de 12 L
  • Anode soluble cuivre ou insoluble Titane Iridium
  • 8 contacts électrique 
  • Agitation méchani que parrallèle au wafer
  • Pssibilité d'agitation par air ou azote
  • Epaisseur de dépôt de 0.2 µm à 500 µm
  • Inhomogénéité 5 % ou moins
  • Vitesse de dépôt de 0.27 à 2.6  µm/min

La composition du bain est analysée une fois par mois afin de garantir la qualité du matériau déposé.



Yamamoto equipment for laboratory electroplating.

http://www.yamamoto-ms.co.jp/en/index.html

This equipment allow copper electroplating on 4"  and 6'' wafers with local plating mode or full surface mode.

Specifications:

  • 12 liters bath
  •  One copper soluble electrode or insoluble Titanium / Iridium
  • 8 electrical contacts
  •  Longitudinal stirrer parallel to the wafer 
  •  Additional Bubble stirring by air or nitrogen
  • Deposition thickness: from 0.2 um to 500 um
  • Plating inhomogeneity: 5 % or less
  • Plating speed: 0.27 to 2.6 um/min

The bath composition is analyzed one time per month by electroplating staff to ensure the best quality of deposition.


 

Tool name:
Yamamoto Cuivre 4/6" (E-MANU)
Area/room:
Electrochimie / electroplating (Bât F)
Category:
Electrochimie/electroplating
Manufacturer:
LAAS
Model:
Plating Set 4'' and 6 ''

Spécifications :

  • Vitesse de dépôt / Deposition rate                        0,27 à 2.6 µm/min
  • Epaisseur / Thickness                                           0,2 à 500 µm
  • Rugosité / Rugosity                                               50 Å
  • Contrainte / Stress                                                50 MPa
  • Résistivité / Resistivity                                          1,65 µohm/cm² après recuit 200°C@ 1h (after                                                                                              200°C@1h annealing)
  • Inhomogénéité / Non homogeneity                       5 %

 

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