Dépôt de SiO2, Si3N4, SiNx, a-Si, SiOx, SiON. Epaisseurs variant de 10 nm à 500 nm. Température de dépôt: 100°C.

Gaz précurseurs: N2, NH3, N2O, SiH4, O2, SF6 (nettoyage de la chambre).

Deposition of SiO2, Si3N4, SiNx, a-Si, SiOx, SiON. Thickness between 10 nm and 500 nm.

Depostion temperature: 100°C.

Precursor gases: N2, NH3, N2O, SiH4, O2, SF6 (chamber cleaning)

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