Il existe 2 plateaux
plateau 1 wafer : uniformity<5% ou plateau 3 wafers : uniformité >5% et <15%
recette générique :
SiO2 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 54 SiH4
SiO2 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 10 SiH4
Si3N4 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 21 SiH4
Si3N4 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 18 SiH4
SiOxNy BF (380kHz) à 200°C/200°C
There are 2 wafers carriers
carrier for 1 wafer: uniformity <5% or carrier for 3 wafers: uniformity> 5% and <15%
generic recipe:
SiO2 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 54 SiH4
SiO2 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 10 SiH4
Si3N4 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 21 SiH4
Si3N4 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 18 SiH4
SiOxNy BF (380kHz) à 200°C/200°C