Four d'oxydation et redistribution 4" pour plaquettes dopées P
Oxidation and redistribution furnace for P-doped 4 inches silicon wafers
Oxydation thermique sèche (O2) du silicium de 5nm à 300nm.
Oxydation thermique humide (H2O) du silicium de 30 nm à 1,6 µm.
Température d'oxydation de 725°C à 1150°C.
Température de recuit de 700°C à 1150°C.
Silicon Dry oxidation (O2) between 5 nm and 300 nm
Silicon wet oxidation (H2O) between 30 nm and 1,6 µm.
Oxidation temperature from 725°C up to 1150°C
Annealing temperature from 700°C up to 1150°C