Four de dépôt LPCVD d'oxynitrure de Silicium (SiOxNy) et de SiO2.
LPCVD furnace for SiOxNy and SiO2 deposition.
Dépôt de SiOxNy à partir de N2O, NH3 et SiH2Cl2 à 850°C. Epaisseur de 100 nm à 1 µm. Vitesse de dépôt: 8nm/mn. Contrainte: 50 +/- 20MPa.
Dépôt de SiO2 à partir de N2O et SiH2Cl2 à 850 °C.
SiOxNy deposition from N2O, NH3 and SiH2Cl2 at 850°C. Thickness betwenn 100 nm and 1 µm.
Rate deposition: 8nm/mn. Stress: 50 +/- 20MPa.
SiO2 deposition from N2O and SiH2Cl2 at 850 °C.