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Four de dépôt LPCVD d'oxynitrure de Silicium (SiOxNy) et de SiO2.


LPCVD furnace for SiOxNy and SiO2 deposition.

Tool name:
Four OXYNIT6 MOS COMPATIBLE (T- CVD)
Area/room:
Traitements thermiques/thermal treament (Bâts F et
Category:
LPCVD
Manufacturer:
Centrotherm
Model:
Centronic E1550HT

Dépôt de SiOxNy à partir de N2O, NH3 et SiH2Cl2 à 850°C. Epaisseur de 100 nm à 1 µm. Vitesse de dépôt: 8nm/mn. Contrainte: 50 +/- 20MPa.

Dépôt de SiO2 à partir de N2O et SiH2Cl2 à 850 °C.


SiOxNy deposition from N2O, NH3 and SiH2Cl2 at 850°C. Thickness betwenn 100 nm and 1 µm.

Rate deposition: 8nm/mn. Stress: 50 +/- 20MPa.

 

SiO2 deposition from N2O and SiH2Cl2 at 850 °C.

 

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