Four de recuit rapide 4"/6"/8" pour substrats Si. Température max: 1400°C.
Rapid thermal annealing furnace for Si substrate 4"/6"/8". Max temp.: 1400°C
Température de recuit variant de 200°C à 1400°C sous N2, N2/H2 ou O2. Temps de montée maximum: 45°C/s.
Annealing temperature between 200°C and 1400°C under N2/H2 and O2. Maximum temperature rate: 45°C/s