Four de recuit rapide échantillons/4"/6" pour substrats AsGa et Si. Température max: 1100°C.
Rapid thermal annling furnace for samples/4"/6" for Si and GaAs substrates. Max temp: 1100°C.
Température de recuit variant de 200°C à 1100°C sous N2 ou N2/H2. Temps de montée maximum: 45°C/s.
Annealing temperature between 100°C and 1100°C under N2/H2 and O2. Maximum temperature rate: 45°C/s