Picture of SI500-Chlorée MOS (G- ICP)
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La machine Si500 à source plasma inductive planaire qui a un sas de chargement des wafers, est équipée de lignes de gaz chlorés pour graver des profondeurs inférieures à 1µm dans le Silicium, le Ga(Al)As, le Al2O3.

Pour contrôler la gravure en temps réel, la machine dispose d'un détecteur de réflectométrie laser.

L'électrode interne peut être chauffée jusqu'à 250°C pour graver des matériaux qui ont des produits de réaction à température élevée.

english version (2018) :
The planary inductive plasma Si500 machine, which has a wafer loading chamber, is equipped with chlorine gas lines for etching depths less than 1 μm in silicon, Ga (Al) As, Al2O3.
To control the etching in real time, the machine has a laser reflectometry detector (670nm).
The inner electrode can be heated up to 250 ° C to etch materials that have high temperature reaction products.

 

informations techniques :                                                            technical information 

GAZ : Cl2, BCl3, CH4, Ar, O2, N2                                                     GAS: Cl2, BCl3, CH4, Ar, O2, N2

Générateurs RF : 13,56MHz : 1200W / 600W                                 RF Generators: 13.56MHz: 1200W / 600W

Control en température: 0° à 250°C                                                Temperature control: 0 ° to 250 ° C

Interféromètre laser : 670nm                                                            Laser interferometer: 670nm

Matériaux : III-V (GaAs), Si, Al2O3 … (à compléter)                        Materials: GaAlAs, Si, Al2O3 ...(to be completed)

Masques: résines UV, électroniques , métaux (Cr)                          Masks: UV resists, electronics resist, metals (Cr)

 

Profondeurs à graver < 1µm                                                     Depths to be etched <1μm

 

Tool name:
SI500-Chlorée MOS (G- ICP)
Area/room:
Gravure plasma/plasma etching (Bât F)
Category:
Gravure plasma / Plasma etching
Manufacturer:
SENTECH
Model:
SI500

Validated processes informations :

  • Si-Cl2-2mT-180W                     :  V = 70nm/min
  • GaAs-Cl2-N2-100W25W-3mT  : V = 260-375nm/min
  • AlGaN-Cl2-60W-RIE-5mT
  • Al2O3-BCl3-Cl2-Ar-0W-150W-5mT

 

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