La machine Si500 à source plasma inductive planaire qui a un sas de chargement des wafers, est équipée de lignes de gaz chlorés pour graver des profondeurs inférieures à 1µm dans le Silicium, le Ga(Al)As, le Al2O3.
Pour contrôler la gravure en temps réel, la machine dispose d'un détecteur de réflectométrie laser.
L'électrode interne peut être chauffée jusqu'à 250°C pour graver des matériaux qui ont des produits de réaction à température élevée.
english version (2018) :
The planary inductive plasma Si500 machine, which has a wafer loading chamber, is equipped with chlorine gas lines for etching depths less than 1 μm in silicon, Ga (Al) As, Al2O3.
To control the etching in real time, the machine has a laser reflectometry detector (670nm).
The inner electrode can be heated up to 250 ° C to etch materials that have high temperature reaction products.
informations techniques : technical information
GAZ : Cl2, BCl3, CH4, Ar, O2, N2 GAS: Cl2, BCl3, CH4, Ar, O2, N2
Générateurs RF : 13,56MHz : 1200W / 600W RF Generators: 13.56MHz: 1200W / 600W
Control en température: 0° à 250°C Temperature control: 0 ° to 250 ° C
Interféromètre laser : 670nm Laser interferometer: 670nm
Matériaux : III-V (GaAs), Si, Al2O3 … (à compléter) Materials: GaAlAs, Si, Al2O3 ...(to be completed)
Masques: résines UV, électroniques , métaux (Cr) Masks: UV resists, electronics resist, metals (Cr)
Profondeurs à graver < 1µm Depths to be etched <1μm