La machine Etchlab 200 à source plasma capacitive qui n'a pas de sas de chargement des wafers, est équipée de lignes de gaz fluorés pour graver des profondeurs inférieures à 500nm dans le Silicium, le SiO2, le Si3N4. Pour contrôler la gravure en temps réel, la machine dispose d'un détecteur de réflectométrie laser.
english version (2018) :
The capacitive plasma Etchlab 200 machine, which does not have a wafer loading chamber, is equipped with fluorinated gas lines to etch depths of less than 500nm in Silicon, SiO2, Si3N4.
To control the etching in real time, the machine has a laser reflectometry detector (670nm).
informations techniques : technical information
GAZ : SF6, CHF3, CF4, C4F8, Ar, O2, N2 GAS: SF6, CHF3, CF4, C4F8, Ar, O2, N2
Générateur RF : 13,56MHz 600W RF Generator: 13,56MHz 600W
Interféromètre laser : 670nm Laser interferometer: 670nm
Matériaux : Si, SiNx, SiOx Materials: Si, SiNx, SiOx
Masques: résines UV et électroniques Masks: UV and electronic resists
Profondeurs à graver < 500nm Depths to be etched <500nm