L'Alcatel AMS4200 est un réacteur de gravure par plasmas de haute densité de type ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) pour le traitement de plaquettes 4 pouces.
Le réacteur P4 est dédié à la gravure du verre (silice fondue, quartz, oxyde ...).
english version (2018) :
The Alcatel AMS4200 is an ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) high density plasma etching reactor for the treatment of 4 inch wafers.
The reactor P4 is dedicated to etching glass (fused silica, quartz, oxide, etc.).
Informations techniques : technical information :
Gaz : C4F8, He, CH4 Gas: C4F8, He, CH4
Puissances : Picp < 3000W ; Pbias < 1000W Powers: Picp <3000W; Pbias <1000W
Matériaux : SiOx, oxydes, verres, quartz ... Materials: SiOx, oxides, glasses, quartz ...
Masques : Résine et Métal Masks: Resist and Metal
Dimensions échantillons: wafer 4" avec détourage 5mm Sample dimensions: 4 "wafer with 5mm trimming
Profondeur de gravure : <100µm Depth of etching: <100μm