Picture of ICP2 III-V et NoMos (G-TRIK)
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La machine ICP2 est utilisée pour la gravure des III-V. C'est un réacteur de gravure par plasma de type ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) pour le traitement de plaquettes 4 pouces, 6 pouces et échantillons.

matériaux : Ga(Al)As, Ga(Al)AsSb, Ga(Al)N...

masques : résines UV, ebeam, métaux, kapton.

gaz : Cl2, O2, N2, Ar, SF6.

puissances : PICP (PRF2) <500W, Pbias (PRF1) <100W

2 modes : ICP et CCP (RIE)

Elle est équipée d'une détection de fin de gravure par réflectométrie laser (670nm). Le chiller peut chauffer le porte substrat jusqu'à 45°C max. Les échantillons sont collés ou non sur un support Si 6". L'intérieur de la chambre de gravure est équipé d'un chemisage en aluminium.

English version (2018) :
The ICP2 machine is used for the etching of III-V. It is an ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) type plasma etching reactor for the treatment of 4 inch, 6 inch and sample wafers.
Materials: Ga (Al) As, Ga (Al) AsSb, Ga (Al) N ...
masks: UV resists, ebeam, metals, kapton.
gas: Cl2, O2, N2, Ar, SF6.
powers: PICP (PRF2) <500W, Pbias (PRF1) <100W
2 modes: ICP and CCP (RIE) plasma etching
It is equipped with a detection end point of etching by laser reflectometry (670nm).
The chiller can heat the substrate holder up to 45 ° C max. The samples are glued or not
on a support Si 6 " . The inside of the etching chamber is equipped with an aluminum liner.

 

Pronfondeur gravée : 100nm à 4µm (ex:VCSEL)              Depth to be etched: 100nm to 4μm (ex VCSEL)
Tool name:
ICP2 III-V et NoMos (G-TRIK)
Area/room:
Gravure plasma/plasma etching (Bât F)
Category:
Gravure plasma / Plasma etching
Manufacturer:
Trikon (SPTS)
Model:
Omega 201 (1996)
Max booking time, day:
9 hours
Max booking time, night:
9 hours
No. of future bookings:

Exemples de procédés de gravure : en plasma continu ou en plasmas silmutanés (2018)

Examples of etching processes: continuous plasma or silmutane plasmas (2018)

GaAlAs avec profil pentu (70°) : recette T1e20-50

GaAlAs avec profil droit (90°) : recette cp3-1cy

GaAlAsSb avec profil droit (90°): recette cp3-1cy

GaAlN avec profil pentu (70°) : recette T1e20-50

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