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EVG semi-automatic Mask Aligner used at LAAS-CNRS since 2003.

This machine allow photoresist exposure on 2",4" and 6" wafers at 320nm, 365nm (10mW) and 405nm (20mW) wavelengh in contact mode (vacuum,hard,soft) or proximity mode.

This aligner use 1000W mercury lamp calibrated every month.

Specifications:

- TSA/BSA

- Alignement focusing:+/-2um            

- Critical dimension: until 1,5um using vacuum contact with 1,2um thickness photoresist.

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Aligneur de masque semi-automatique EVG en service au LAAS-CNRS depuis 2003.

Cet équipement permet d'exposer des wafers 2",4" et 6" à des longueurs d'onde de 320nm, 365nm (10mW) and 405nm (20mW) en contact (vacuum,hard,soft) ou en proximité.

Cet aligneur utilise une lampe à vapeur de mercure 1000W calibrée tous les mois.

Specifications:

- TSA/BSA

- précision d'alignement:+/-2um            

- dimension critique : jusqu'à 1,5um en vacuum contact avec une résine de 1,2um d'épaisseur.

 

 

Tool name:
EVG620 (P-AUTO)
Area/room:
Photolithographies (Bât F)
Category:
Photolithographie / Photolithography
Manufacturer:
EVG
Model:
620
Max booking time, day:
4 hours
Max booking time, night:
12 hours
No. of future bookings:

Available mask sizes : 2.5, 3, 4 , 5 and 7 inch

Available wafer sizes : small sample (required blue tape on chuck to hold sample), 2.5, 4 and 6 inch

Alignement options : TSA and BSA (digital camera only), manual (automatic possible on specific process)

Large band wavelengh filters integrated (choice in recipe parameters)

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Masque pris en charge : 2.5, 3, 4 ,5 et 7 pouces

Substrats pris en charge : petits échantillons (nécessite collage sur chuck avec scotch bleu), 2, 4 et 6 pouces

Type d'alignement : Face avant et face arrière (avec caméra numerique uniquement), manuel (automatique possible sur process spécifique)

Filtre UV large bande integrés (choix dans les paramètres de la recette)

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