Picture of Stepper Canon (P-STEP)
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The Canon FPA 3000i4/i5 is a UV projection stepper used in LAAS-CNRS since 2009.

This stepper allow photoresist exposure at 365nm (iline) on 50mm,100mm and 150mm wafers.

Spécifications:

- 5x lens with digital opening NA 0.45-0.63 sigma 0.65

- Alignement focusing: +/-100nm

- Critical dimension: until 700nm with 1.2um thickness photoresist

 

Le Stepper Canon FPA 3000i4/i5 est un équipement de lithographie par projection en fonctionnement au LAAS-CNRS depuis 2009.

L'équipement permet la mise en forme de résines sensibles aux UV (365nm) sur substrats 50mm, 100mm et 150mm.

Specifications:

- lentille 5x lens avec ouverture numérique 0.45-0.63 sigma 0.65

- Z alignement : +/-100nm

- Résolution 700nm sur résine d'1.2µm d'épaisseur.

Tool name:
Stepper Canon (P-STEP)
Area/room:
Photolithographies (Bât F)
Category:
Photolithographie / Photolithography
Manufacturer:
Canon
Model:
FPA 3000i4/i5
Max booking time, day:
6 hours
Max booking time, night:
12 hours
No. of future bookings:

Specifications :

  • Illumination :
    • Lens UL-34II
    • NA 0.45- 0.63
    • sigma 0.65
    • Field size 22mm x 22mm (standard 21mm x 24mm)
    • resolution 0.35µm CD (depending to pattern, substrates and resist)
    • UV lamp Hg 2000W
    • Intensity : 650mW.cm-2 +/- 1.0%
  • Robot :
    • Reticle 6''
    • Wafers : 150mm
    • multiple tray 50mm et 100mm
  • Alignment system :
    • HeNe laser (TVPA / AGA) ou halogen lamp  BB (AGA)
    • accuracy : 0.06µm (m+3sigma)
    • focus accuracy : 0.10µm (3sigma), levelling accuracy 7ppm
    • wafer stage accuracy 0.04µm (3sigma)
    • production : 74W/H with 200mm wafers

Spécifications machine (données canon) :

  • Illumination :
    • Lentille UL-34II
    • NA 0.45- 0.63
    • sigma 0.65
    • champs de 22mm x 22mm (standard 21mm x 24mm au LAAS)
    • résolution 0.35µm minimum (en fonction des motifs, substrats et résines)
    • lamps UV Hg 2000W
    • intensité : 650mW.cm-2 +/- 1.0%
  • Système de chargement :
    • Taille réticule 6''
    • substrats : 150mm
    • multiple tray pour substrats 50mm et 100mm
  • Système d'alignement :
    • alignement par laser HeNe (TVPA / AGA) ou lampe  halogène BB (AGA)
    • accuracy : 0.06µm (m+3sigma)
    • focus accuracy : 0.10µm (3sigma), levelling accuracy 7ppm
    • wafer stage accuracy 0.04µm (3sigma)
    • vitesse d'exécution : 74W/H sur susbtrats 200mm

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