Picture of Wafer Substrate Bonding
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Les techniques de liaison pour le traitement de plaquettes minces et fragiles de semi-conducteurs II-VI et III-V telles que le silicium, le GaAs et l'InP nécessitent des procédures de manipulation délicates. Les laboratoires qui lient ces matériaux doivent maintenir la meilleure qualité de rendement des échantillons et minimiser la casse de ces matériaux coûteux dans le processus de préparation des plaquettes. L'unité de liaison de substrat Wafer de Logitech a été conçue pour répondre à ces exigences strictes. Cette machine hautement automatisée intègre à la fois des installations de soudage sous vide et sous pression. Il permet à l'opérateur de monter et de coller des plaquettes jusqu'à un diamètre de 102 mm (4 pouces) avant de poursuivre le traitement. Le système produit des standards de plaquette élevés pour supporter le parallélisme du disque, qu’il s’agisse d’une grande plaquette ou d’un nombre plus petit de plaquettes. des plaquettes d'épaisseur différente sont montées et collées. Le bouton tactile de l’affichage du processus sur le panneau avant de la machine permet de contrôler avec précision tous les paramètres du processus. Cela inclut une température de liaison programmable et un vide pour produire l'environnement requis pour un type d'échantillon spécifique.


Bonding techniques for processing thin and fragile II-VI and III-V semiconductor wafers such as silicon, GaAs and InP require delicate handling procedures. Laboratories bonding such materials need to maintain the highest quality of sample yield and minimise breakage of these expensive materials in the wafer preparation process.
The Logitech Wafer Substrate Bonding Unit has been designed to meet such stringent requirements. This highly automated machine incorporates both vacuum and pressure bonding facilities. It allows the operator to mount and bond up wafers up to a diameter of 102mm (4”) prior to further processing. The system produces consistently high standards of wafer to support disc parallelism, irrespective of whether one large wafer or a number of smaller
wafers of differing thickness are being mounted and bonded. Touch button control of the process display on the machine’s front panel allows all process parameters to be accurately controlled. This includes a programmable bonding temperature and vacuum to produce the required environment for a specific sample type.

 

Tool name:
Wafer Substrate Bonding
Area/room:
Assemblage (Bât G)
Category:
Assemblage / Device mounting
Manufacturer:
Logitech
Model:
WSB1
Max booking time, day:
2 hours
Max booking time, night:
2 hours
No. of future bookings:

Spécifications:

  • Diameter: 108mm (4.25”) or 159mm (6.25” depending upon model)
  • Thickness: 8mm (0.31”)
  • Maximum capacity: 1 wafer
  • Overall dimensions: 4” (102mm) 
  • Height: 350mm (13.78”)
  • Depth: 580mm (22.83”) 
  • Length: 520mm (20.47”)* 960mm (37.80”) 
  • Weight: 31kg (69 lbs)
  • Power requirements: 0.72kW* (240v) 
  • Water supply requirements: Mains pressure cold water Mains pressure cold water
  • Pressurised air (optional): Regulated to 2bar ±0.2bar maximum

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