Il existe 2 plateaux de maintien de 2 wafers dans le sas :
plateau 1 wafer : wafer de conditionnement et plateau 1 wafer : wafer device
recette générique :
SiO2 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 54 SiH4
SiO2 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 10 SiH4
Si3N4 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 21 SiH4
Si3N4 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 18 SiH4
SiOxNy BF (380kHz) à 200°C/200°C
Etching BF (380kHz) à 300°C/200°C O2/CF4
There are 2 wafers carriers :
carrier for 1 wafer: conditioning and carrier for 1 wafer: wafer device
generic recipe:
SiO2 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 54 SiH4
SiO2 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 10 SiH4
Si3N4 BF (380kHz) à 300°C/250°C, 21 SiH4
Si3N4 HF (13.56MHz) à 300°C/250°C, 18 SiH4
SiOxNy BF (380kHz) à 200°C/200°C
Etching BF (380kHz) à 300°C/200°C O2/CF4