Picture of MBE412 (M412)
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The MBE412 is a 12 ports MBE chamber.

The 12 sources actualy used are : 2xGa, 2xAl, In, 2xAs, Sb, N and H plasma source, Bi, Si, C.

Growths can be done on 2", 3" 4" et specifics wafer.

This chamber can process epitaxies such as VCELs, Fabry-Perot lasers, solar cells, or III-V and V-V structures.

 

Software : CRYSTALE XE

 

Le MBE412 est un bâtis MBE à 12 ports. Les 12 sources actuellements utilisées sont :  2xGa, 2xAl, In, 2xAs, Sb, une source plasma N et H, Bi, Si, C.

Les épitaxies peuvent être réalisées sur subtrats 2 ", 3" 4 " ou sur des découpes spécifiques.

Ces chambres peuvent réaliser des épitaxies telles que des structures VCELs, des lasers Fabry-Perot, des cellules solaires ou des structures III - V et V - V.

 

Tool name:
MBE412 (M412)
Area/room:
EJM/MBE (Bât G2)
Category:
Epitaxie / Epitaxy
Manufacturer:
RIBER SA
Model:
MBE412
Max booking time, day:
12 hours
Max booking time, night:
12 hours
No. of future bookings:

Standard layers grown in the chamber are : GaAs / AlGaAs / AlAs / InAs / InGaAs / GaAsSb / InAsSb / GaAsN / GaInAsN / GaAsBi / C p-type dobing / Si n-type doping 

Structures : any type, from 2D quantum wells, quantum dots, nano wires, to complex structures (VCSEL, QCL, ...)

 

Les combinaisons de structures standards de la chambre sont : GaAs / AlGaAs / AlAs / InAs / InGaAs / GaAsSb / InAsSb / GaAsN / GaInAsN / GaAsBi / C p-type dobing / Si n-type doping 

Structures : n'importe quel type de 2D quantum wells, quantum dots, nano wires, à des structures complexes (VCSEL, QCL, ...)

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