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Four de diffusion phosphore pour le dopage des semi-conducteurs

Phosphorous thermal diffusion furnace for semi-conductor doping

Tool name:
Four DIFPHOS6 (T-RRD)
Area/room:
Traitements thermiques/thermal treament (B√Ęts F et
Category:
redistribution, diffusion
Manufacturer:
Centrotherm
Model:
Centronic E1550HT
Max booking time, day:
3 hours
Max booking time, night:
3 hours
No. of future bookings:

Dopage de type N par diffusion thermique à partir d'une source de POCl3. Les plaquettes de silicium sont iontroduites dans le tube à 950°C. On introduit de l'azote et de l'oxygène afin de créer une fine couche d'oxyde. Du POCl3 est ensuite envoyé dans le tube, créant une couche d'oxyde dopante P2O5 à la surface du substrat.Le phosphore de cette couche diffuse ensuite dans le silicium permettant ainsi son dopage.

N-type thermal doping diffusion from POCl3 gaseous source. Silicon wafers are introduced on the tube at 950°C. We introduce N2 and O2 to create a thin oxide film. Then the POCl3 goes on the tube, creating an doping oxidant layer P2O5 at the surface of the substrate. The phoshorous diffuse into the silicon and doped it.

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