Picture of SI500-DRIE (G-ICP)
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Cette machine à source plasma inductive planaire qui a un sas de chargement pour 1 wafer, est équipée de lignes de gaz florés pour graver des profondeurs inférieures à 1µm dans: Si, SiOx, SiNx, polymères... 

Cette machine a l'option "DRIE" afin d'effectuer des gravures profondes de silicium. 

Pour contrôler la gravure en temps réel, la machine dispose d'un interféromètre laser.

 

english version (2018) :

This planary inductive plasma machine, which has a wafer loading chamber, is equipped with florine gases lines for etching depths less than 1 μm : Si, SiOx, SiNx, polymers ...
To control the etching in real time, the machine has a laser reflectometry detector (670nm).
This machine has the DRIE option for Si deep etching. 

 

informations techniques :                                                            technical information 

GAZ : SF6, C4F8, CHF3, CF4, Ar, O2, N2                                      GAS: SF6, C4F8, CHF3, CF4, Ar, O2, N2 

Générateurs RF : 13,56MHz : 1200W / 600W                                 RF Generators: 13.56MHz: 1200W / 600W

Interféromètre laser : 670nm                                                            Laser interferometer: 670nm

Matériaux : Si, SiOx, SiNx ...                                                             Materials: Si, SiOx, SiNx ...       

Masques: résines UV, électroniques                                                 Masks: UV resists, electronics resist

 

Tool name:
SI500-DRIE (G-ICP)
Area/room:
Photolithographies (Bât F)
Category:
Gravure plasma / Plasma etching
Manufacturer:
SENTECH
Model:
SI500-DRIE
Max booking time, day:
4 hours
Max booking time, night:
0 hours
No. of future bookings:

SiOxNy : V~200nm/min

SiO2 : V~125nm/min

Si3N4 : V~100nm/min

BARC : V~400nm/min

Si : V~100nm/min

Si : VSi ~ 430 nmm/min    ;  VECI ~ 112nm/min

Si - Bosch : VSi ~ 5µm/min   ;  VECI ~ 200nm/min

 

 

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