Picture of DIENER plasma O2 (G-PLAS)
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Cet équipement permet de réaliser, par plasma continu, le nettoyage de wafers de silicium (avant tout procédé technologique, comme par exemple avant le dépôt de résine) et le délaquage de résines de wafers MOS compatibles.

english version (2018) :

This equipment makes it possible to carry out, by continuous plasma, the cleaning of silicon wafers (before any technological process, for example before resist deposition) and the stripping of compatible MOS wafer resists.


Informations techniques :                                                                 technical information :

Gaz : N2, O2, CF4, SF6                                                                        Gas: N2, O2, CF4, SF6

Puissances : 200W à 800W                                                                  Powers: 200W to 800W

Matériaux : silicium, SiO2 thermique uniquement                                 Materials: silicon, thermal SiO2 only

Masques : Résines                                                                                Masks: Resists

Dimensions échantillons: wafer 6" 4'' + petits échantillons.                  Sample dimensions: wafer 6 ",4 '', small samples.

Tool name:
DIENER plasma O2 (G-PLAS)
Gravure plasma/plasma etching (Bât F)
Gravure plasma / Plasma etching
Max booking time, day:
2 hours
Max booking time, night:
2 hours
No. of future bookings:


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