Picture of ALCATEL P4 NoMOS (G-DRIE)
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L'Alcatel AMS4200 est un réacteur de gravure par plasmas de haute densité de type ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) pour le traitement de plaquettes 4 pouces.

Le réacteur P4 est dédié à la gravure du verre (silice fondue, quartz, oxyde ...).

english version (2018) : 

The Alcatel AMS4200 is an ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) high density plasma etching reactor for the treatment of 4 inch wafers.
The reactor P4 is dedicated to etching glass (fused silica, quartz, oxide, etc.).

 

Informations techniques :                                                                technical information :

Gaz : C4F8, He, CH4                                                                            Gas: C4F8, He, CH4

Puissances : Picp < 3000W ; Pbias < 1000W                                        Powers: Picp <3000W; Pbias <1000W

Matériaux : SiOx, oxydes, verres, quartz ...                                          Materials: SiOx, oxides, glasses, quartz ...

Masques : Résine et Métal                                                                   Masks: Resist and Metal

Dimensions échantillons: wafer 4" avec détourage 5mm                    Sample dimensions: 4 "wafer with 5mm trimming

 

Profondeur de gravure : <100µm                                                   Depth of etching: <100μm
Tool name:
ALCATEL P4 NoMOS (G-DRIE)
Area/room:
Gravure plasma/plasma etching (Bât F)
Category:
Gravure plasma / Plasma etching
Manufacturer:
Alcatel - Adixen
Model:
AMS4200

Quartz : V = 300-500nm/min ; Resist = AZ15NXT 13µm ; Quartz/AZ15NXT = 4 ; H < 50µm

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