Système automatique de polissage Mécano Chimique, enlèvement de couche chimique et planarisation, polissage. Le système CDP convient à une large gamme d'applications de traitement de matériaux, notamment: plaquette de silicium CMP CMP global de semi-conducteurs composés III-C CMP global de nitrure de silicium, oxydes et couches de polymères CMP global de matériaux fragiles et friables Substrats de nitrure de gallium et de carbure de silicium Récupération de substrats prêts pour le PEV Amincissement final des plaquettes SOS et SOI à moins de 20 microns Retardement de l'appareil pour les applications d'ingénierie inverse ou d'analyse des pannes
CDP Automatic, Chemical Delayering & Planarization, Polishing System
The CDP system is suitable for a wide range of materials processing applications including: Silicon wafer CMP Global CMP of III-V Compound Semiconductors Global CMP of Silicon Nitride, Oxides & Polymer Layers Global CMP of brittle, friable IR material substrates Global CMP of Sapphire, Gallium Nitride & Silicon Carbide substrates Reclamation of EPI ready substrates Final stage thinning of SOS and SOI wafers to below 20 microns Device delayering for Reverse Engineering or Fault Analysis applications